Текущее время: 19 мар 2024, 13:15

Часовой пояс: UTC + 3 часа




 Страница 1 из 1 [ Сообщений: 27 ] 
Автор Сообщение
 Заголовок сообщения: GaAs и GaN технологии
СообщениеДобавлено: 09 июн 2014, 16:20 
Я новость от КРЭТ специально притянул: болеть за своих - это естественно, но жизнь в параллельной реальности...

Почитайте даташиты от cree и triquint, посмотрите, когда тошиба начала продажи GaN модулей. И сравните с нашими успехами.

"Первые в мире"...


  
 
 Заголовок сообщения: Re: ПАК ФА Т-50 (часть 4)
СообщениеДобавлено: 09 июн 2014, 18:06 
Гость писал(а):
посмотрите, когда тошиба начала продажи GaN модулей.
Модулей чего? Неужели для для АФАР X-диапазона? Ой, шо, нет? Ну на нет сюда нет.


  
 
 Заголовок сообщения: Re: ПАК ФА Т-50 (часть 4)
СообщениеДобавлено: 09 июн 2014, 22:20 
на дату обратите внимание

http://www.microwavejournal.com/article ... plications

посвежее:

http://www.toshiba.com/taec/news/press_ ... 12_637.jsp

и это далеко не лучшие модели.


  
 
 Заголовок сообщения: Re: ПАК ФА Т-50 (часть 4)
СообщениеДобавлено: 09 июн 2014, 23:44 
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 11 июл 2012, 08:56
Сообщений: 2349
Давайте не будем обожествлять нитрид галлия.
Вот наткнулся на статью:
http://www.telesputnik.ru/archive/pdf/184/111.pdf

Цитата:
Это на 20% меньшее
энергопотребление (при аналогичной
производительности), повышенная
устойчивость к электростатическим
разрядам (почти как у кремниевых
транзисторов), лучший отвод тепла
(интенсивнее с такой же поверхности).
Другие параметры аналогичны пред-
лагаемым технологией GaAs (арсенид
галлия).


Кроме того, кому нафик надо транзисторы по 175 Вт для БРЛС?
(проглядел - для Х-бэнд 81.3 Вт, не суть важно)
Считаем: 2000 ППМ * 175 = 350 кВт.
У пилота под ногами? Это что, подумаешь, херня - в карман сунул и пошел?


Не в сети
 Профиль Отправить личное сообщение  
 
 Заголовок сообщения: Re: ПАК ФА Т-50 (часть 4)
СообщениеДобавлено: 09 июн 2014, 23:52 
согласен, это фетиш своего рода.

я лишь мягко намекал, что в чипах мы по-прежнему не передовики.


  
 
 Заголовок сообщения: Re: ПАК ФА Т-50 (часть 4)
СообщениеДобавлено: 10 июн 2014, 00:04 
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 11 июл 2012, 08:56
Сообщений: 2349
Я думаю, что и энергетики тех чипов, что есть, хватает, чтобы обеспечить достойные характеристики обнаружения. Остальное дело инженеров-проектировщиков (СВЧ, топологии и проч), а они везде есть хорошие. И замотивированные. И дело алгоритмов, в коем у наших головы даже посветлее будут...


Не в сети
 Профиль Отправить личное сообщение  
 
 Заголовок сообщения: Re: ПАК ФА Т-50 (часть 4)
СообщениеДобавлено: 10 июн 2014, 00:11 
"Сегодня GaN-транзисторы демонстрируют едва ли не худшие показатели термоустойчивости, чем GaAs-приборы. Например, при температуре активной структуры 350°С среднее время между отказами для GaAs-транзисторов составляет 10 -100 часов, а GaN менее 10 часов (данные испытаний 2007 года). Технология GaN-приборов будет совершенствоваться, но в любом случае, тепло в GaN-приборах снимается с площади, в 10 раз меньшей по сравнению с GaAs, поэтому проблем хватит. Коэффициент полезного действия у GaN-транзисторов действительно высокий, 60--65%. Но это - не прорыв, у современных GaAs pHEMT-транзисторов КПД достигает 55%.

Прорыв GaN-приборов - в удельной мощности, снимаемой с единицы периферии затвора транзистора, и как следствие - с единичного кристалла МИС. Сегодня с одного кристалла GaAs МИС в диапазоне 10 ГГц можно снять примерно 15-20 Вт. Например, такие приборы в 2008 году выпускала компания M/A-СOM. Но это можно считать пределом, дальше кристалл становится слишком большим и хрупким. С кристалла GaN МИС можно будет снимать до 100 Вт. Эта цель достижима, уже продемонстрирован GaN монолитный усилитель с выходной мощностью около 40 Вт."

и еще много интересного - http://www.mwsystems.ru/publication/?id=19


  
 
 Заголовок сообщения: Re: GaAs и GaN технологии
СообщениеДобавлено: 10 июн 2014, 11:44 
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 05 авг 2010, 14:42
Сообщений: 6759
Цитата:
Кроме того, кому нафик надо транзисторы по 175 Вт для БРЛС?
(проглядел - для Х-бэнд 81.3 Вт, не суть важно)
Считаем: 2000 ППМ * 175 = 350 кВт.
У пилота под ногами? Это что, подумаешь, херня - в карман сунул и пошел?

Это все решается средствами защиты - например пленкой на остеклении кабины итп. Замечу то, что импульсная мощность в сотни киловат вроде уже давно есть на отдельных РЛС.

А вот мощность, мощность полезна для РЭП, да и для обнаружения малозаметных самолетов.



_________________
вырабатываю критическое мышление
Спойлер: Показать
Изображение
Не в сети
 Профиль Отправить личное сообщение  
 
 Заголовок сообщения: Re: ПАК ФА Т-50 (часть 4)
СообщениеДобавлено: 10 июн 2014, 12:02 
Вы что, серьёзно думаете, что радары на GaN модулях все подряд не делают потому, что "они слишком мощные"?

Вы в курсе, сколько стоит каждый ППМ? Сколько стоит целый радар с АФАР?

Основные проблемы сейчас - в технологии. Гигантский процент брака.

GaN при доведении технологии до серии обещает четырехкратное сокращение стоимости по сравнению с GaAs при прочих равных.

Это при существенном увеличении КПД, который имеет кумулятивный эффект на стоимость/эффективность конечного изделия.


  
 
 Заголовок сообщения: Re: ПАК ФА Т-50 (часть 4)
СообщениеДобавлено: 10 июн 2014, 12:25 
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 22 фев 2014, 14:32
Сообщений: 1869
Гость писал(а):
Вы что, серьёзно думаете, что радары на GaN модулях все подряд не делают потому, что "они слишком мощные"?

Вы в курсе, сколько стоит каждый ППМ? Сколько стоит целый радар с АФАР?

Основные проблемы сейчас - в технологии. Гигантский процент брака.

GaN при доведении технологии до серии обещает четырехкратное сокращение стоимости по сравнению с GaAs при прочих равных.

Это при существенном увеличении КПД, который имеет кумулятивный эффект на стоимость/эффективность конечного изделия.

Цена модулей планарной АФАР на порядки дешевле чем классическое исполнение в этом и есть новация, то что японцы микросхемы по GaN на HTСС начали делать чуть раньше (и Американцы) это понятно про это написано, фишка как раз в цене и есть. На основе микрух GaN сборка выполнена на LTCC керамике все вместе с охлаждением, при этом малые габариты, в этом фишка (в общей архитектуре уже готового ППМ).

цитата:
планарная, функционально законченная конструкция с интегрированными антенными элементами
рекордно малая толщина . 13 мм
высокая стойкость к ВВФ СВЧ-субмодулей из LTCC керамики
высокая технологичность, повторяемость и стабильность параметров
интегрированный высокоскоростной синхронный последовательный интерфейс управления
возможность объединения модулей для создания антенн любого размера
низкая стоимость

цитата:
С учетом обобщенного мирового опыта в ОАО НИИПП ведется разработка многоканальных интегрированных планарных приемных и передающих модулей АФАР, которые включают в себя все элементы полотна АФАР (активные элементы, антенные излучатели, системы распределения сигналов СВЧ и управления, вторичный источник питания, управляющий цифровой контроллер с интерфейсной схемой, систему жидкостного охлаждения) и являются функционально законченным устройством.
http://www.traisel.ru/doc/production/niipp/36/2



_________________
Открылась бездна звезд полна;
Звездам числа нет, бездне дна.

(М. В. Ломоносов)
Не в сети
 Профиль Отправить личное сообщение  
 
 Заголовок сообщения: Re: GaAs и GaN технологии
СообщениеДобавлено: 15 июн 2014, 22:46 
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 05 авг 2010, 14:42
Сообщений: 6759
Вопрос, что будет если сделать РЛС для МФП на основе GaN технологий, какие оценочные ТТХ такая станция может иметь?



_________________
вырабатываю критическое мышление
Спойлер: Показать
Изображение
Не в сети
 Профиль Отправить личное сообщение  
 
 Заголовок сообщения: Re: ПАК ФА Т-50 (часть 4)
СообщениеДобавлено: 08 фев 2015, 12:49 
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 01 апр 2011, 20:05
Сообщений: 8730
Гость писал(а):
на дату обратите внимание

http://www.microwavejournal.com/article ... plications

посвежее:

http://www.toshiba.com/taec/news/press_ ... 12_637.jsp

и это далеко не лучшие модели.



Ну да, ну да....
2007 - анонс GaN транзистора и усилителя на его основе
2012 - анонс гибридной микросхемы на той же основе, мощностью 25Вт (targeted to transmitter and receiver modules (TRMs) used in radar applications, что по-нашему означает ППМ)
Путь от от GaN транзистора до ППМ занял пять лет...
Не вижу существенного отставания со стороны РФ.



_________________
"Нам нужен мир!" - сказали русские.
_____________________________
Мир напрягся...


Слышу ZOV
и OZVерел...

Мы русские! С нами Бог! Победа будет за нами!
Не в сети
 Профиль Отправить личное сообщение  
 
 Заголовок сообщения: Re: GaAs и GaN технологии
СообщениеДобавлено: 11 авг 2017, 15:39 
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 03 янв 2016, 06:42
Сообщений: 179
Не знаю было тут, не было ,оставлю в этой ветке .
http://24ri.ru/down/open/tomskie-uchenye-razrabotali-tverdotelnyj-usilitel-mocshnosti-v-millimetrovom-diapazone.html
Томские ученые разработали твердотельный усилитель мощности в миллиметровом диапазоне

твердотельный усилитель,НИИПП,АФАР
Специалисты НИИ полупроводниковых приборов г. Томск разработали твердотельный усилитель мощности 8-мм диапазона длин волн на основе GaN (нитрид галлия) интегральных схем с выходной мощностью более 800 Вт.

По сравнению с традиционными решениями, усилители на основе GaN могут обеспечить в 3 раза больше выходной мощности при одинаковых физических размерах. Наряду с более высокой плотностью мощности полупроводники GaN имеют более высокую устойчивость и надёжность. Разработка, осуществленная томским АО «НИИ полупроводниковых приборов», уникальна для российского рынка и относится к самым передовым научно-техническим решениям не только в стране, но и в мире.....
P.S.
В настоящее время опытные образцы усилителей, которые применяются в радиолокационном оборудовании, отгружены потребителям для проведения испытаний в составе аппаратуры. В начале следующего года предприятие планирует начать серийное производство......


Не в сети
 Профиль Отправить личное сообщение  
 
 Заголовок сообщения: Re: GaAs и GaN технологии
СообщениеДобавлено: 11 авг 2017, 20:53 
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 01 апр 2011, 20:05
Сообщений: 8730
Жирный Кот писал(а):
Не знаю было тут, не было ,оставлю в этой ветке .
http://24ri.ru/down/open/tomskie-uchenye-razrabotali-tverdotelnyj-usilitel-mocshnosti-v-millimetrovom-diapazone.html
Томские ученые разработали твердотельный усилитель мощности в миллиметровом диапазоне

Спойлер: Показать
твердотельный усилитель,НИИПП,АФАР
Специалисты НИИ полупроводниковых приборов г. Томск разработали твердотельный усилитель мощности 8-мм диапазона длин волн на основе GaN (нитрид галлия) интегральных схем с выходной мощностью более 800 Вт.

По сравнению с традиционными решениями, усилители на основе GaN могут обеспечить в 3 раза больше выходной мощности при одинаковых физических размерах. Наряду с более высокой плотностью мощности полупроводники GaN имеют более высокую устойчивость и надёжность. Разработка, осуществленная томским АО «НИИ полупроводниковых приборов», уникальна для российского рынка и относится к самым передовым научно-техническим решениям не только в стране, но и в мире.....
P.S.
В настоящее время опытные образцы усилителей, которые применяются в радиолокационном оборудовании, отгружены потребителям для проведения испытаний в составе аппаратуры. В начале следующего года предприятие планирует начать серийное производство......

Это же для всяких компактных ГСН, не для РЛС самолетной.



_________________
"Нам нужен мир!" - сказали русские.
_____________________________
Мир напрягся...


Слышу ZOV
и OZVерел...

Мы русские! С нами Бог! Победа будет за нами!
Не в сети
 Профиль Отправить личное сообщение  
 
 Заголовок сообщения: Re: GaAs и GaN технологии
СообщениеДобавлено: 12 авг 2017, 03:53 
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 03 янв 2016, 06:42
Сообщений: 179
Vaal писал(а):
Это же для всяких компактных ГСН, не для РЛС самолетной.

Вроде как заявлен широкий спектр применения , включая наземные и морского базирования .Даже где-то видел что 0,001м.кв. на 25-30 км низко летящий обнаруживает .


Не в сети
 Профиль Отправить личное сообщение  
 
 Заголовок сообщения: Re: GaAs и GaN технологии
СообщениеДобавлено: 12 авг 2017, 07:03 
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 01 апр 2011, 20:05
Сообщений: 8730
Жирный Кот писал(а):
Vaal писал(а):
Это же для всяких компактных ГСН, не для РЛС самолетной.

Вроде как заявлен широкий спектр применения , включая наземные и морского базирования .Даже где-то видел что 0,001м.кв. на 25-30 км низко летящий обнаруживает .

В миллиметровом диапазоне проблемы с дальностью и погодными условиями. Не любит атмосфера миллиметровые волны.
На теме "Армата" был разбор использования РЛС разных диапазонов в системах КАЗ.



_________________
"Нам нужен мир!" - сказали русские.
_____________________________
Мир напрягся...


Слышу ZOV
и OZVерел...

Мы русские! С нами Бог! Победа будет за нами!
Не в сети
 Профиль Отправить личное сообщение  
 
 Заголовок сообщения: Re: GaAs и GaN технологии
СообщениеДобавлено: 13 авг 2017, 13:02 
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 03 янв 2016, 06:42
Сообщений: 179
Vaal писал(а):
В миллиметровом диапазоне проблемы с дальностью и погодными условиями. Не любит атмосфера миллиметровые волны.
На теме "Армата" был разбор использования РЛС разных диапазонов в системах КАЗ.

В разборе на форуме ,проблемы с дальностью возможны .Здесь я указал источник где чёрным по белому написано что изделия отгружены , и что в этом году они уже в серийном производстве. Если вы умеете использовать какой либо поисковый сервис, попробуйте вбить в строку афар миллиметрового диапазона или аргс миллиметрового диапазона .Вы получите как текстовой вариант так и графический , в котором всё представлено наиболее наглядно.


Не в сети
 Профиль Отправить личное сообщение  
 
 Заголовок сообщения: Re: GaAs и GaN технологии
СообщениеДобавлено: 21 янв 2018, 21:39 
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 31 май 2011, 13:08
Сообщений: 9291
Откуда: из дремучего леса
крокодил писал(а):
А это

А про то, что тут используется, нигде ничего не сказано.

А вот тут у нас несколько лет назад применяли GaAs и SiGe.

Что сейчас используют неизвестно. Известно, что в Томске уже разработали свои GaN усилители, но реальные образцы ППМ для авиационных радаров я не видел.

Есть GaN ППМ для больших радаров, стационарные, корабли, автомобильное шасси.



_________________
Данко разорвал руками себе грудь и вырвал из неё сердце и высоко поднял его над головой. Оно пылало ярче солнца, и люди, очарованные, снова пошли за ним. (C) кавалер ордена Ленина Максим Горький, "Старуха Изергиль" - 1894 г.
Не в сети
 Профиль Отправить личное сообщение  
 
 Заголовок сообщения: Re: GaAs и GaN технологии
СообщениеДобавлено: 26 фев 2018, 23:39 
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 16 июн 2010, 18:23
Сообщений: 5561
Один из лауреатов Премии правительства Москвы

Изображение



_________________
Как на рваных парусах...
Не в сети
 Профиль Отправить личное сообщение  
 
 Заголовок сообщения: Re: GaAs и GaN технологии
СообщениеДобавлено: 24 мар 2018, 00:44 

Зарегистрирован: 06 дек 2009, 10:39
Сообщений: 32
Сделано на Микроне: кремний вместо арсенида галлия
В феврале 2018 года Микрон завершил испытания библиотеки сложных функциональных СВЧ кремниевых компонентов, работающих на частоте до 3 ГГц. Созданные блоки позволят существенно удешевить приемо-передающие модули и повысить энергоэффективность радиолокационных систем, применяемых в навигации и автоэлектронике.

«Рынок уже ждет эту разработку, так как дорогую арсенид-галлиевую технологию можно заменить на кремний без потери в стойкости, надежности и качестве, что актуально, например, в локационных системах аэропортов, в судоходстве и автомобилях будущего, - сообщил советник генерального директора ПАО «Микрон» Денис Адамов. - Следующим нашим шагом станет чип, интегрирующий функции приема-передачи и обработки цифрового сигнала, чтобы сделать радиотехнические системы более компактными и энергонезависимыми, что востребовано в автоэлектронике для систем помощи водителю и автопилотируемого транспорта».

В рамках опытно-конструкторских работ Микроном создана библиотека IP блоков, что позволит разработчикам осуществлять проектирование собственных кремниевых СВЧ чипов и производить их на Микроне в режиме фаундри. Микрон, крупнейшее микроэлектронное предприятие России, является центром отраслевой экспертизы и предоставляет разработчикам набор библиотек и технологических процессов для разработки аналоговых и цифровых микросхем. Инвестиции в научные исследования и опытно-конструкторские разработки составляют 15% годовой выручки.

http://www.mikron.ru/press-center/news/2515/


Не в сети
 Профиль Отправить личное сообщение  
 
 Заголовок сообщения: Re: GaAs и GaN технологии
СообщениеДобавлено: 11 апр 2018, 09:13 
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 31 май 2011, 13:08
Сообщений: 9291
Откуда: из дремучего леса
гражданин писал(а):
кремний вместо арсенида галлия

Это так называемая технология SiGe. Микрон тут не первый в России.



_________________
Данко разорвал руками себе грудь и вырвал из неё сердце и высоко поднял его над головой. Оно пылало ярче солнца, и люди, очарованные, снова пошли за ним. (C) кавалер ордена Ленина Максим Горький, "Старуха Изергиль" - 1894 г.
Не в сети
 Профиль Отправить личное сообщение  
 
 Заголовок сообщения: Re: GaAs и GaN технологии
СообщениеДобавлено: 02 окт 2019, 19:15 
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 07 ноя 2008, 20:09
Сообщений: 8586
Откуда: Челябинск
АО «ЭОС» запустило первое в России промпроизводство наногетероструктур на основе арсенида галлия
АО «Экран-оптические системы» (г. Новосибирск, актив РАТМ Холдинга, якорный резидент индустриального парка «ЭКРАН»), опираясь на фундаментальные и прикладные разработки Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, ввело в эксплуатацию установку молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в рамках организации первого в России промышленного производства наногетероструктур на основе арсенида галлия.

Объем инвестиций составил 350 млн рублей, источник — средства акционера и заемные.

Производительность установки МЛЭ фирмы RIBER (Франция), размещенной на площадке ИФП, — до 10 тыс. пластин GaAs* в год. АО «Экран-оптические системы» намерено освоить значительную долю отечественного рынка пластин GaAs и GaN, а также экспортировать их.

В настоящее время «ЭОС» — единственное предприятие в стране, которое уже готово поставлять заказчикам пластины GaAs для пассивных и активных устройств электронно-компонентной базы (ЭКБ) — сейчас их, в основном, импортируют из Тайваня, Китая и Южной Кореи.

Наногетероструктуры GaAs (относятся к категории сверхпроводников с частотой более 2 ГГц) необходимы для сотовых телефонов, мобильных сетей 5G, телекоммуникационной техники, преобразователей сигналов, усилителей мощности, транзисторов, солнечных панелей для космических аппаратов, фотоприемников, индикаторов, дисплеев, оптоэлектроники и др.

Наладив выпуск пластин GaAs, мы завершили первый этап реализации масштабного проекта по созданию единственного в России промышленного производства полупроводниковых гетероструктур соединений A3B5** и приборов на их основе, рассчитанного до 2023 года. ЭКБ на базе технологий арсенида галлия обеспечивает мощность 1-2 Вт, а с использованием нитрида галлия*** этот показатель увеличивается в разы — до 20-25 Вт. Потому на втором этапе планируем изготавливать пластины GaN, для чего потребуется 750-900 млн рублей; на третьем — ЭКБ на основе GaN и GaAs для силовой электроники, необходимый объем вложений — примерно 1 млрд рублей, — сообщил генеральный директор АО «Экран-оптические системы» Андрей Гугучкин.


Изображение

http://www.ratm.ru/press-center/news/ao ... na-osnove/


Не в сети
 Профиль Отправить личное сообщение  
 
 Заголовок сообщения: Re: GaAs и GaN технологии
СообщениеДобавлено: 10 фев 2020, 16:08 
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 07 ноя 2008, 20:09
Сообщений: 8586
Откуда: Челябинск
В Новосибирске запущено первое в России производство нитригаллиевых пластин для микроэлектроники
Новосибирский завод «Экран-оптические системы» (входит в «РАТМ-холдинг»), производящий электронно-оптические преобразователи для приборов ночного видения, запустил производство нитригаллиевых пластин, применяемых при изготовлении мобильных телефонов и телекоммуникационных систем. Такое производство в России первое.

В мае 2018 года завод, в рамках модернизации производства, совместно с Институтом физики полупроводников (ИФП) им А. В. Ржанова Сибирского отделения (СО) РАН, анонсировал проект по созданию полупроводниковых гетероструктур на основе арсенида и нитрида галлия (материалы, широко применяемые для создания элементов электроники). Такие структуры в будущем станут составными компонентами мощных транзисторов, используемых для создания устройств связи. Стоимость проекта оценивалась в 30 млн евро.

Завод «Экран-оптические системы» первый в России запустил производство компонентов на основе нитрида галлия для пассивных и активных устройств электроннокомпонентной плазмы. Проект реализован совместно с ИФП СО РАН.

Выпускаемая на заводе продукция на основе пластин арсенида галлия и нитрида галлия, сейчас активно используется в приборах квантовой электроники, в СВЧ-технике, в телефонах, в технике для систем связи и светотехнике. Как сообщал научный сотрудник ИФП СО РАН Константин Журавлев, переговоры института с предприятием длились около полутора лет. Изначально разработкой полупроводников занимались специалисты института. Позднее для реализации проекта на завод было закуплено зарубежное оборудование из Франции, проводилось обучение персонала.

https://futurerussia.gov.ru/nacionalnye ... lektroniki


Не в сети
 Профиль Отправить личное сообщение  
 
 Заголовок сообщения: Re: GaAs и GaN технологии
СообщениеДобавлено: 03 янв 2021, 22:02 
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 13 ноя 2019, 01:25
Сообщений: 32
phpBB [video]

https://www.youtube.com/watch?v=Zkr7AkcHvCY


Не в сети
 Профиль Отправить личное сообщение  
 
 Заголовок сообщения: Re: GaAs и GaN технологии
СообщениеДобавлено: 24 окт 2022, 10:58 

Зарегистрирован: 22 мар 2017, 18:50
Сообщений: 50
Изображение
Кукушкин Сергей Арсеньевич, Н.Т. Баграев А.В. Осипов
«Наномасштабный монокристаллический карбид кремния на кремнии и его уникальные свойства»
http://vm.ipmras.ru/index.php/s/WPbNm0OSdaavjnq


Не в сети
 Профиль Отправить личное сообщение  
 
 Заголовок сообщения: Re: GaAs и GaN технологии
СообщениеДобавлено: 22 апр 2023, 19:59 
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 07 ноя 2008, 20:09
Сообщений: 8586
Откуда: Челябинск
НИИ электронной техники запустил в серийное производство силовые GaN-транзисторы серии ТНГ-К

Воронежский НИИ электронной техники сообщает о начале приема заказов на серийно выпускаемые силовые транзисторы серии ТНГ-К на основе нитрида галлия в металлокерамических и пластиковых корпусах.

Нитрид-галлиевая технология – одно из наиболее перспективных и быстроразвивающихся направлений в силовой и СВЧ-электронике в мире. Причина этого заложена в свойствах нитрида галлия, значительно превосходящего традиционный для полупроводниковой промышленности кремний по ряду ключевых параметров, таких как ширина запрещенной зоны, критическая напряженность поля и дрейфовая скорость насыщения электронов. Благодаря этому GaN-транзисторы могут работать при более высоких температурах, на более высоких частотах, с большей плотностью мощности и энергоэффективностью, чем кремниевые.

НИИЭТ развивает данное направление уже более 10 лет, а в феврале 2021 года институт анонсировал доступность тестовых образцов новых GaN-транзисторов серии ТНГ-К, предназначенных для работы в качестве ключей в зарядных устройствах потребительской электроники, электромобилей, преобразователях энергии альтернативных источников и схемах электропитания аппаратуры различного назначения. В состав серии входило пять типов приборов (ТНГ-К 10030, ТНГ-К 20040, ТНГ-К 20020, ТНГ-К 45020, ТНГ-К 45030) в металлокерамических корпусах КТ-94.

Одним из преимуществ серии, уникальным для российского рынка производства ЭКБ, является то, что данные транзисторы – нормально закрытые. Это упрощает схемотехнику драйвера затвора, поскольку приборы такого типа не требуют отрицательного смещения на затворе для перевода транзистора в закрытое состояние. В сочетании с тем, что нитрид-галлиевые транзисторы, работая на более высоких частотах переключения, позволяют применять в конструкциях импульсных источников питания конденсаторы меньшей емкости, более простая схемотехника управления делает возможным существенное сокращение габаритов устройства при сохранении его энергетических параметров. Этому способствуют и высокие значения КПД GaN-транзисторов, в случае серии ТНГ-К достигающие 97-98%.

Транзисторы ТНГ-К неоднократно демонстрировались на крупнейших российских выставках электронной и радиоэлектронной промышленности, где вызывали большой интерес со стороны посетителей. В апреле прошлого года образцы этой серии – уже в пластиковых корпусах – получили официальное признание со стороны экспертов отрасли: они принесли АО «НИИЭТ» первое место в конкурсе Electronica – 2022 в категории «Силовая электроника».

Теперь транзисторы серии ТНГ-К доступны для заказа. Предприятие освоило серийное производство данных приборов как в металлокерамических, так и в пластиковых корпусах, причем за прошедшее время специалистам НИИЭТ удалось увеличить напряжение пробоя сток-исток приборов до 900 В, тогда как данный параметр в данной серии изначально ограничивался 450 В.

«Насколько эффективной может быть нитрид-галлиевая технология при создании устройств силовой электроники, мы уже показали на примере наших зарядных устройств: мощность 95 Вт достигается в габаритах обычной зарядки для автомобильного прикуривателя, – отметил Владимир Малеев, коммерческий директор АО „НИИЭТ“. – Спектр применения транзисторов серии ТНГ-К очень широк. Теперь производители силовой аппаратуры могут не просто оценить ее преимущества на тестовых образцах, но и полноценно применять эти приборы в своей серийной продукции».


https://niiet.ru/07_04_2023/

Изображение
Изображение


Не в сети
 Профиль Отправить личное сообщение  
 
 Заголовок сообщения: Re: GaAs и GaN технологии
СообщениеДобавлено: 22 апр 2023, 20:06 
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 01 апр 2011, 20:05
Сообщений: 8730
Где силовые транзисторы СВЧ, там и модули для АФАР.



_________________
"Нам нужен мир!" - сказали русские.
_____________________________
Мир напрягся...


Слышу ZOV
и OZVерел...

Мы русские! С нами Бог! Победа будет за нами!
Не в сети
 Профиль Отправить личное сообщение  
 
Показать сообщения за:  Поле сортировки  
 Страница 1 из 1 [ Сообщений: 27 ] 

Часовой пояс: UTC + 3 часа



Кто сейчас на конференции

Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 5


Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете добавлять вложения

Найти:
Перейти:  
phpBB skin developed by: John Olson
Powered by phpBB © 2000, 2002, 2005, 2007 phpBB Group

Вы можете создать форум бесплатно PHPBB3 на Getbb.Ru, Также возможно сделать готовый форум PHPBB2 на Mybb2.ru
Русская поддержка phpBB