Это интересно тем, что его предлагает реальный поставщик суперкомпьютеров, Т-Платформы.

Не знаю чего наши ерундой страдают, давно бы обязали автопромышленность ставить на авто выпускаемые у нас, наши процессоры и блоки. Сейчас почти везде уже арм, трикоре много от freescale встречается, на японцах реже ренесасы всякого рода. Тем более локализация производства по задумке это предполагала, но только по факту везде импортные блоки, и дело я думаю в том что евро и японо производителям тоже куда то надо продавать свои блоки за страшные деньги. У немцев еще чуднее, одну марку типа собирают, а на самом деле тупо набивают вин-номер в России и вуаля : российское авто

А конкретнее? Если БМВ в Калининграде - то и так известно, что там "отверточная" сборка. Или хотите сказать, что во Всеволжске не Форды только ВИН набивают?

BMW имел ввиду, то что форд собирают, нашего производства там с гулькин нос, кузовщина может только. Все отвественные узлы за границей делают. Хотя где то мне попадались щитки приборов от АвтоПрибор на иномарке не вспомню где, может и на форде. ....гуглю....


Это хорошо, но мало

Кстати, вот новый завод по выпуску печатных плат запускают - http://si-pcb.ru/manufacture.html
Толщина платы, мм мин 0,5 макс 4
Толщина слоев, мм мин 0,086* макс 1,5
Слоистость от 4 до 20
Наименьший диаметр просверленного отверстия 0,1
Отношение диаметра просверленного отверстия к толщине платы
диаметр < 0,2 мм 1:6
диаметр  0,2 мм 1:12
Отношение диаметра глухого отверстия к глубине 1:1
Основная технология Patern Platting
Минимальная ширина и зазор проводника, мм (Cu травление 0,012 мм
(0,009 Cu фольга + 0,003 гальваническая Cu) 0,075 / 0,075
Минимальная ширина и зазор проводника, мм (Cu травление 0,021 мм
(0,018 Cu фольга + 0,003 гальваническая Cu) 0,1 / 0,1
Требование к качеству IPC-A-650 class 3
% годной продукции, ДПП (диаметр сверловки  0,3 мм) 98
% годной продукции, ДПП (диаметр сверловки < 0,3 мм) 93
% годной продукции, МПП 85
Финишное покрытие HAL / ENIG/ImmSN

У меня вопрос по компонентам современных российский ППМ АФАР.
С какими примерно выходной мощностью и КПД используются транзисторы в передающей части модуля?
Чьего производства - российского али зарубежного?
Может, ссылки какие?
(сам ищу к гугле, но может кто подробнее занимался или ближе к теме)
Спасибо.

http://www.vzpp-s.ru/production/catalog.pdf

Может это не совсем то. Надо просто вам по сайтам российских предприятий электроники полазить прям по списку, бывает у них прям на сайте есть информация.

Вроде как с печатью особо и не было проблем. На любой чип экспо сходить так там прям втюхивают оборудование под любые нормы и объемы производства.

Mityan

http://rutracker.org/forum/viewtopic.php?t=4616894

Дерзайте там все есть, что уже применяют.

Если ваапсче хотите все знать то вот таким нужно разжиться

http://www.deyton.ru/annotation2.html

вроде как купить можно.

Понять бы что конкретно подразумевается под транзисторами.

Полупроводниковые СВЧ приборы в ППМ Россия производит сама. И тут были новости, я уже выкладывал информацию об этом с описанием завода, используемого оборудования. Мы сами напыляем пластины, сами травим из них транзисторы. Вплоть до GaN на карбиде кремния.

Эта технология является ключевой для оборонной безопасности страны и потерять её было бы очень опасно. По этому государство внимательно следит за процессами в научно-техническом прогрессе радиолокации.

Самое большое предприятие применяющее эти технологии это Алмаз-Антей. ПВО потребляет львиную долю СВЧ техники.

Спасибо всем.

Усилитель мощности.
Например, на сайте ПНН Исток
http://www.istokmw.ru/tverdotelnie-elektronnie-svch-pribori/
указан мощный транзистор с выходным уровнем 1000-2000 мВт.
Т.е. 2 Вт. Это меня не устраивает. Мало. И без указания КПД.
(в смысле не для меня мало, а для нормальной БРЛС с АФАР).
Так же как для малошумящего ТТ модуля Кшума = 7 дБ - это много.

Склоняюсь к тому, что все-таки закупали и использовали не наши родные, а зарубежные. GaAs. Наподобие CHA8100 французской фирмы UMS
(с выходной мощностью 11 Вт и КПД 40%) - много где именно такой в российских публикациях встречается - микрановских и проч.

А вот тут, например,
http://vpk.name/library/f/h-121.html
написано, что для ПАК ФА уже налажено производство по GaN технологии. То, что параметров в открытом доступе нет - неудивительно.

А об МИС вы не думаете? Электроника она такая, можно несколько транзисторов в ряд поставить.

Вы полистайте эту тему взад. Не мучайте форумчан.

Выше максимальной выходной мощности не прыгнешь, даже если КУ будет 2 дБ а не 20.

Отчет по СВЧ электронике за 2007 год.
http://www.electronics.ru/files/article ... 59_544.pdf

http://www.electronics.ru/journal/article/40
ППМ ПАК ФА на GaAs.

Выращивают СВЧ на вот таком оборудовании, оно немецкое.

И когда о мощности говорите упоминайте частоту.

Михалыч, из интернета пропала вторая страница к вот этому памфлету.

на ней был изображен ППМ ПАК-ФА указанный мной выше и какой-то текст. Есть приемлемая вероятность, что я снова увижу эту картинку сегодня?

Митян, вот история развития СВЧ ППМ в России

Вот он ППМ на GaN.

Эта технология применялась не на ПАК-ФА, а на Миг-35, с РЛС Жук-АЭ. По этому я считаю, что РЛС Жук-АЭ самая продвинутая по технологиям в России.

Вот раздел об этом модуле на сайте НИИПП принадлежащем Росэлектронике, входящей в Ростехнологию.
http://www.niipp.ru/catalog/detail.php?ID=245

Мощность одного отечественного ППМ на GaN всего 0,3 ватта. Попробуем посчитать мощность РЛС на основе этих GaN модулей в случае их применения в ПАК ФА.

Диаметр РЛС ПАК ФА 90 см. Тогда площадь РЛС ПАК ФА = 6362 см^2.

Площадь одного кластера из вот таких GaN модулей

равна 198 см^2.

В данном кластере присутствует 24*24 = 576 ППМ.

Разделим площадь РЛС ПАК ФА на площадь одного кластера производимого в НИИПП,
6362 / 198 = 32 кластера.

Умножим число полученный условных кластеров на число ППМ в кластере,
32 * 576 = 18 432 ППМ GaN можно уместить на площади РЛС ПАК ФА.

Умножим число полученных ППМ на мощность одного ППМ,
18 432 * 0,3 = 5530 ватт = 5,5 кВт мощность радара на основе GaN ППМ умещаемый в ПАК ФА.

Как думаете много это или мало?

Мощность РЛС Н035 Ирбис диаметром 90 см (так же как и у ПАК ФА) применяемой в Су-35 равна 5 кВт.

Т. е., на основе ППМ GaN можно получить радар для ПАК ФА с мощностью на 500 ватт выше (немного), но по массе он должен быть значительно легче и иметь более высокий КПД. В связи с чем должен уменьшиться теплоотвод, а это уменьшение массы необходимых конструкций и механизмов. Также радар на основе GaN должен иметь более высокую надёжность.

Но такой радар из-за наличия большого числа ППМ (на порядок) потребует большей вычислительной мощности. Но это даст большую разрешающую способность.

У AN/APG-77 какая мощность?

На Википедии неоднозначные цифры.

Например там утверждается, что у этого радара примерно 2000 ППМ, при этом, на этом сайте считали число ППМ, фотография есть, и их число меньше чем у Н035 применяемом в Су-35. Число ППМ AN/APG-77 примерно равно 1500 модулей. Это число сильно отличается от указанного в статье на Википедии. Как после этого доверять остальным числам?

В Википедии написано, что
Максимальная средняя мощность: 18.5 КВт (на одном из сайтов встреченных в интернете приводится число Потребляемая мощность: 16533 Вт).
Рассеиваемая мощность: 8278 Вт

Исходя из этих цифр, которым я не могу доверять, КПД РЛС F-22 равно 44%. И это для радара, разработка которого началась в 1985 году. Первые лётные испытания в 1997 году. Кто-нибудь может поверить, что ещё в 80-х годах у США были технологии GaAs ППМ с КПД 44%? О таких цифрах сейчас заявляют ведущие производители GaAs транзисторов в Х-диапазоне.

У AN/APG-77 какая мощность?[/quote]
Аллокер говорит о 8.2квт средней мощности, 20квт импульсной и 16.5квт потребляемой для APG77. У Ирбиса - 5квт средней и 40квт импульсной. У АФАР Т50 соотв. 7.8квт средней, 18.3квт потребляемой и 21квт импульсной.

Данные из таблички с сайта.

Я уже и не знаю чему верить. В интернете и такие цифры встречаются

Т. е. в инете куча вбросов, а информация по F-22 это сплошной фейк.

Если ориентироваться на Аллокера, то имеющиеся GaN сильно уступают. Но откуда цифра в 5 кВт на Википедии?

Про Н-035 для Су-35 в Википедии написано следующее

и даётся ссылка
http://www.niip.ru/index.php?option=com ... 6&Itemid=8
в которой ни каких таких сведений нет.

Ерунду написали, уважаемый. Уж извините.
площадь 198 см.кв. - это не у большого, а у меньшего модуля - на 64 элемента.
Эти ППМ диапазона вроде 15 ГГц, прекрасно (по габаритам и мощности) подходят для АФАР АРГСН.
Малогабаритных и с относительно небольшими дальностями.
И расположены они соответственно на расстоянии порядка 0.8 длины волны для своего диапазона. - плотнее нецелесообразно, а шире уже как бы и нельзя.

Для БРЛС истребителя они никак не подойдут.
Кроме того, в БРЛС ПАК ФА 1524 модуля, уже все давно посчитано.
Значит мощность у них (пиковая) должна быть порядка 10 Вт.

Не уверен, но полагаю, что в 80-х еще не было, однако разрабатывать саму АФАР это не очень мешает.
Кроме того, подсчет некорректен. Вы думаете, кроме мощных выходных транзисторов передающей части больше ничего энергию не потребляет?
Реальная цифра все же ближе к 30%...
По крайней мере у исходного варианта радара.

В части КПД понятно. Но не мощности, полагаю. Речь ведь идет о БРЛС истребителя.
Например, при выходной мощности в 10 Вт и КПД=70% рассеиваться должно порядка 4 Вт. Возможно ли это реализовать если площадь теплоотвода порядка 3 см.кв. (и вокруг не свободно, а точно такие же модули стоят)?
А если больше 10 Вт надо? а если КПД я приукрасил?
Я в таких вопросах не разбирался никогда. Навскидку нашел вот что:
http://radiocon-net.narod.ru/page15.htm

(тут, конечно, не учтены ребра теплоотвода, которые взад могут торчать, а также скважность импульсного режима - при 5 нужно ли делить на 5? Ну и антифризы всякие.)
Вот в приведенной выше планарной решетке, где выходная мощность 0.3, отводимая, положим, 0.2 Вт на 1 см.кв. - видимо, все нормально.