Форум "Стелс машины" http://paralay.iboards.ru/ |
|
GaAs и GaN технологии http://paralay.iboards.ru/viewtopic.php?f=15&t=2921 |
Страница 1 из 1 |
Автор: | Гость [ 09 июн 2014, 16:20 ] |
Заголовок сообщения: | GaAs и GaN технологии |
Я новость от КРЭТ специально притянул: болеть за своих - это естественно, но жизнь в параллельной реальности... Почитайте даташиты от cree и triquint, посмотрите, когда тошиба начала продажи GaN модулей. И сравните с нашими успехами. "Первые в мире"... |
Автор: | Гость [ 09 июн 2014, 18:06 ] |
Заголовок сообщения: | Re: ПАК ФА Т-50 (часть 4) |
Гость писал(а): посмотрите, когда тошиба начала продажи GaN модулей. Модулей чего? Неужели для для АФАР X-диапазона? Ой, шо, нет? Ну на нет сюда нет.
|
Автор: | Гость [ 09 июн 2014, 22:20 ] |
Заголовок сообщения: | Re: ПАК ФА Т-50 (часть 4) |
на дату обратите внимание http://www.microwavejournal.com/article ... plications посвежее: http://www.toshiba.com/taec/news/press_ ... 12_637.jsp и это далеко не лучшие модели. |
Автор: | Mityan [ 09 июн 2014, 23:44 ] |
Заголовок сообщения: | Re: ПАК ФА Т-50 (часть 4) |
Давайте не будем обожествлять нитрид галлия. Вот наткнулся на статью: http://www.telesputnik.ru/archive/pdf/184/111.pdf Цитата: Это на 20% меньшее энергопотребление (при аналогичной производительности), повышенная устойчивость к электростатическим разрядам (почти как у кремниевых транзисторов), лучший отвод тепла (интенсивнее с такой же поверхности). Другие параметры аналогичны пред- лагаемым технологией GaAs (арсенид галлия). Кроме того, кому нафик надо транзисторы по 175 Вт для БРЛС? (проглядел - для Х-бэнд 81.3 Вт, не суть важно) Считаем: 2000 ППМ * 175 = 350 кВт. У пилота под ногами? Это что, подумаешь, херня - в карман сунул и пошел? |
Автор: | Гость [ 09 июн 2014, 23:52 ] |
Заголовок сообщения: | Re: ПАК ФА Т-50 (часть 4) |
согласен, это фетиш своего рода. я лишь мягко намекал, что в чипах мы по-прежнему не передовики. |
Автор: | Mityan [ 10 июн 2014, 00:04 ] |
Заголовок сообщения: | Re: ПАК ФА Т-50 (часть 4) |
Я думаю, что и энергетики тех чипов, что есть, хватает, чтобы обеспечить достойные характеристики обнаружения. Остальное дело инженеров-проектировщиков (СВЧ, топологии и проч), а они везде есть хорошие. И замотивированные. И дело алгоритмов, в коем у наших головы даже посветлее будут... |
Автор: | Гость [ 10 июн 2014, 00:11 ] |
Заголовок сообщения: | Re: ПАК ФА Т-50 (часть 4) |
"Сегодня GaN-транзисторы демонстрируют едва ли не худшие показатели термоустойчивости, чем GaAs-приборы. Например, при температуре активной структуры 350°С среднее время между отказами для GaAs-транзисторов составляет 10 -100 часов, а GaN менее 10 часов (данные испытаний 2007 года). Технология GaN-приборов будет совершенствоваться, но в любом случае, тепло в GaN-приборах снимается с площади, в 10 раз меньшей по сравнению с GaAs, поэтому проблем хватит. Коэффициент полезного действия у GaN-транзисторов действительно высокий, 60--65%. Но это - не прорыв, у современных GaAs pHEMT-транзисторов КПД достигает 55%. Прорыв GaN-приборов - в удельной мощности, снимаемой с единицы периферии затвора транзистора, и как следствие - с единичного кристалла МИС. Сегодня с одного кристалла GaAs МИС в диапазоне 10 ГГц можно снять примерно 15-20 Вт. Например, такие приборы в 2008 году выпускала компания M/A-СOM. Но это можно считать пределом, дальше кристалл становится слишком большим и хрупким. С кристалла GaN МИС можно будет снимать до 100 Вт. Эта цель достижима, уже продемонстрирован GaN монолитный усилитель с выходной мощностью около 40 Вт." и еще много интересного - http://www.mwsystems.ru/publication/?id=19 |
Автор: | ikalugin [ 10 июн 2014, 11:44 ] |
Заголовок сообщения: | Re: GaAs и GaN технологии |
Цитата: Кроме того, кому нафик надо транзисторы по 175 Вт для БРЛС? (проглядел - для Х-бэнд 81.3 Вт, не суть важно) Считаем: 2000 ППМ * 175 = 350 кВт. У пилота под ногами? Это что, подумаешь, херня - в карман сунул и пошел? Это все решается средствами защиты - например пленкой на остеклении кабины итп. Замечу то, что импульсная мощность в сотни киловат вроде уже давно есть на отдельных РЛС. А вот мощность, мощность полезна для РЭП, да и для обнаружения малозаметных самолетов. |
Автор: | Гость [ 10 июн 2014, 12:02 ] |
Заголовок сообщения: | Re: ПАК ФА Т-50 (часть 4) |
Вы что, серьёзно думаете, что радары на GaN модулях все подряд не делают потому, что "они слишком мощные"? Вы в курсе, сколько стоит каждый ППМ? Сколько стоит целый радар с АФАР? Основные проблемы сейчас - в технологии. Гигантский процент брака. GaN при доведении технологии до серии обещает четырехкратное сокращение стоимости по сравнению с GaAs при прочих равных. Это при существенном увеличении КПД, который имеет кумулятивный эффект на стоимость/эффективность конечного изделия. |
Автор: | AlexandrT [ 10 июн 2014, 12:25 ] |
Заголовок сообщения: | Re: ПАК ФА Т-50 (часть 4) |
Гость писал(а): Вы что, серьёзно думаете, что радары на GaN модулях все подряд не делают потому, что "они слишком мощные"? Вы в курсе, сколько стоит каждый ППМ? Сколько стоит целый радар с АФАР? Основные проблемы сейчас - в технологии. Гигантский процент брака. GaN при доведении технологии до серии обещает четырехкратное сокращение стоимости по сравнению с GaAs при прочих равных. Это при существенном увеличении КПД, который имеет кумулятивный эффект на стоимость/эффективность конечного изделия. Цена модулей планарной АФАР на порядки дешевле чем классическое исполнение в этом и есть новация, то что японцы микросхемы по GaN на HTСС начали делать чуть раньше (и Американцы) это понятно про это написано, фишка как раз в цене и есть. На основе микрух GaN сборка выполнена на LTCC керамике все вместе с охлаждением, при этом малые габариты, в этом фишка (в общей архитектуре уже готового ППМ). цитата: планарная, функционально законченная конструкция с интегрированными антенными элементами рекордно малая толщина . 13 мм высокая стойкость к ВВФ СВЧ-субмодулей из LTCC керамики высокая технологичность, повторяемость и стабильность параметров интегрированный высокоскоростной синхронный последовательный интерфейс управления возможность объединения модулей для создания антенн любого размера низкая стоимость цитата: С учетом обобщенного мирового опыта в ОАО НИИПП ведется разработка многоканальных интегрированных планарных приемных и передающих модулей АФАР, которые включают в себя все элементы полотна АФАР (активные элементы, антенные излучатели, системы распределения сигналов СВЧ и управления, вторичный источник питания, управляющий цифровой контроллер с интерфейсной схемой, систему жидкостного охлаждения) и являются функционально законченным устройством. http://www.traisel.ru/doc/production/niipp/36/2 |
Автор: | ikalugin [ 15 июн 2014, 22:46 ] |
Заголовок сообщения: | Re: GaAs и GaN технологии |
Вопрос, что будет если сделать РЛС для МФП на основе GaN технологий, какие оценочные ТТХ такая станция может иметь? |
Автор: | Vaal [ 08 фев 2015, 12:49 ] |
Заголовок сообщения: | Re: ПАК ФА Т-50 (часть 4) |
Гость писал(а): на дату обратите внимание http://www.microwavejournal.com/article ... plications посвежее: http://www.toshiba.com/taec/news/press_ ... 12_637.jsp и это далеко не лучшие модели. Ну да, ну да.... 2007 - анонс GaN транзистора и усилителя на его основе 2012 - анонс гибридной микросхемы на той же основе, мощностью 25Вт (targeted to transmitter and receiver modules (TRMs) used in radar applications, что по-нашему означает ППМ) Путь от от GaN транзистора до ППМ занял пять лет... Не вижу существенного отставания со стороны РФ. |
Автор: | Жирный Кот [ 11 авг 2017, 15:39 ] |
Заголовок сообщения: | Re: GaAs и GaN технологии |
Не знаю было тут, не было ,оставлю в этой ветке . http://24ri.ru/down/open/tomskie-uchenye-razrabotali-tverdotelnyj-usilitel-mocshnosti-v-millimetrovom-diapazone.html Томские ученые разработали твердотельный усилитель мощности в миллиметровом диапазоне твердотельный усилитель,НИИПП,АФАР Специалисты НИИ полупроводниковых приборов г. Томск разработали твердотельный усилитель мощности 8-мм диапазона длин волн на основе GaN (нитрид галлия) интегральных схем с выходной мощностью более 800 Вт. По сравнению с традиционными решениями, усилители на основе GaN могут обеспечить в 3 раза больше выходной мощности при одинаковых физических размерах. Наряду с более высокой плотностью мощности полупроводники GaN имеют более высокую устойчивость и надёжность. Разработка, осуществленная томским АО «НИИ полупроводниковых приборов», уникальна для российского рынка и относится к самым передовым научно-техническим решениям не только в стране, но и в мире..... P.S. В настоящее время опытные образцы усилителей, которые применяются в радиолокационном оборудовании, отгружены потребителям для проведения испытаний в составе аппаратуры. В начале следующего года предприятие планирует начать серийное производство...... |
Автор: | Vaal [ 11 авг 2017, 20:53 ] |
Заголовок сообщения: | Re: GaAs и GaN технологии |
Жирный Кот писал(а): Не знаю было тут, не было ,оставлю в этой ветке . http://24ri.ru/down/open/tomskie-uchenye-razrabotali-tverdotelnyj-usilitel-mocshnosti-v-millimetrovom-diapazone.html Томские ученые разработали твердотельный усилитель мощности в миллиметровом диапазоне Спойлер: Показать Это же для всяких компактных ГСН, не для РЛС самолетной. |
Автор: | Жирный Кот [ 12 авг 2017, 03:53 ] |
Заголовок сообщения: | Re: GaAs и GaN технологии |
Vaal писал(а): Это же для всяких компактных ГСН, не для РЛС самолетной. Вроде как заявлен широкий спектр применения , включая наземные и морского базирования .Даже где-то видел что 0,001м.кв. на 25-30 км низко летящий обнаруживает . |
Автор: | Vaal [ 12 авг 2017, 07:03 ] |
Заголовок сообщения: | Re: GaAs и GaN технологии |
Жирный Кот писал(а): Vaal писал(а): Это же для всяких компактных ГСН, не для РЛС самолетной. Вроде как заявлен широкий спектр применения , включая наземные и морского базирования .Даже где-то видел что 0,001м.кв. на 25-30 км низко летящий обнаруживает . В миллиметровом диапазоне проблемы с дальностью и погодными условиями. Не любит атмосфера миллиметровые волны. На теме "Армата" был разбор использования РЛС разных диапазонов в системах КАЗ. |
Автор: | Жирный Кот [ 13 авг 2017, 13:02 ] |
Заголовок сообщения: | Re: GaAs и GaN технологии |
Vaal писал(а): В миллиметровом диапазоне проблемы с дальностью и погодными условиями. Не любит атмосфера миллиметровые волны. На теме "Армата" был разбор использования РЛС разных диапазонов в системах КАЗ. В разборе на форуме ,проблемы с дальностью возможны .Здесь я указал источник где чёрным по белому написано что изделия отгружены , и что в этом году они уже в серийном производстве. Если вы умеете использовать какой либо поисковый сервис, попробуйте вбить в строку афар миллиметрового диапазона или аргс миллиметрового диапазона .Вы получите как текстовой вариант так и графический , в котором всё представлено наиболее наглядно. |
Автор: | ЦАРь [ 26 фев 2018, 23:39 ] |
Заголовок сообщения: | Re: GaAs и GaN технологии |
Один из лауреатов Премии правительства Москвы |
Автор: | гражданин [ 24 мар 2018, 00:44 ] |
Заголовок сообщения: | Re: GaAs и GaN технологии |
Сделано на Микроне: кремний вместо арсенида галлия В феврале 2018 года Микрон завершил испытания библиотеки сложных функциональных СВЧ кремниевых компонентов, работающих на частоте до 3 ГГц. Созданные блоки позволят существенно удешевить приемо-передающие модули и повысить энергоэффективность радиолокационных систем, применяемых в навигации и автоэлектронике. «Рынок уже ждет эту разработку, так как дорогую арсенид-галлиевую технологию можно заменить на кремний без потери в стойкости, надежности и качестве, что актуально, например, в локационных системах аэропортов, в судоходстве и автомобилях будущего, - сообщил советник генерального директора ПАО «Микрон» Денис Адамов. - Следующим нашим шагом станет чип, интегрирующий функции приема-передачи и обработки цифрового сигнала, чтобы сделать радиотехнические системы более компактными и энергонезависимыми, что востребовано в автоэлектронике для систем помощи водителю и автопилотируемого транспорта». В рамках опытно-конструкторских работ Микроном создана библиотека IP блоков, что позволит разработчикам осуществлять проектирование собственных кремниевых СВЧ чипов и производить их на Микроне в режиме фаундри. Микрон, крупнейшее микроэлектронное предприятие России, является центром отраслевой экспертизы и предоставляет разработчикам набор библиотек и технологических процессов для разработки аналоговых и цифровых микросхем. Инвестиции в научные исследования и опытно-конструкторские разработки составляют 15% годовой выручки. http://www.mikron.ru/press-center/news/2515/ |
Автор: | SuperZveruga [ 11 апр 2018, 09:13 ] |
Заголовок сообщения: | Re: GaAs и GaN технологии |
гражданин писал(а): кремний вместо арсенида галлия Это так называемая технология SiGe. Микрон тут не первый в России. |
Автор: | Летун [ 02 окт 2019, 19:15 ] |
Заголовок сообщения: | Re: GaAs и GaN технологии |
АО «ЭОС» запустило первое в России промпроизводство наногетероструктур на основе арсенида галлия АО «Экран-оптические системы» (г. Новосибирск, актив РАТМ Холдинга, якорный резидент индустриального парка «ЭКРАН»), опираясь на фундаментальные и прикладные разработки Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, ввело в эксплуатацию установку молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в рамках организации первого в России промышленного производства наногетероструктур на основе арсенида галлия. Объем инвестиций составил 350 млн рублей, источник — средства акционера и заемные. Производительность установки МЛЭ фирмы RIBER (Франция), размещенной на площадке ИФП, — до 10 тыс. пластин GaAs* в год. АО «Экран-оптические системы» намерено освоить значительную долю отечественного рынка пластин GaAs и GaN, а также экспортировать их. В настоящее время «ЭОС» — единственное предприятие в стране, которое уже готово поставлять заказчикам пластины GaAs для пассивных и активных устройств электронно-компонентной базы (ЭКБ) — сейчас их, в основном, импортируют из Тайваня, Китая и Южной Кореи. Наногетероструктуры GaAs (относятся к категории сверхпроводников с частотой более 2 ГГц) необходимы для сотовых телефонов, мобильных сетей 5G, телекоммуникационной техники, преобразователей сигналов, усилителей мощности, транзисторов, солнечных панелей для космических аппаратов, фотоприемников, индикаторов, дисплеев, оптоэлектроники и др. Наладив выпуск пластин GaAs, мы завершили первый этап реализации масштабного проекта по созданию единственного в России промышленного производства полупроводниковых гетероструктур соединений A3B5** и приборов на их основе, рассчитанного до 2023 года. ЭКБ на базе технологий арсенида галлия обеспечивает мощность 1-2 Вт, а с использованием нитрида галлия*** этот показатель увеличивается в разы — до 20-25 Вт. Потому на втором этапе планируем изготавливать пластины GaN, для чего потребуется 750-900 млн рублей; на третьем — ЭКБ на основе GaN и GaAs для силовой электроники, необходимый объем вложений — примерно 1 млрд рублей, — сообщил генеральный директор АО «Экран-оптические системы» Андрей Гугучкин. http://www.ratm.ru/press-center/news/ao ... na-osnove/ |
Автор: | Летун [ 10 фев 2020, 16:08 ] |
Заголовок сообщения: | Re: GaAs и GaN технологии |
В Новосибирске запущено первое в России производство нитригаллиевых пластин для микроэлектроники Новосибирский завод «Экран-оптические системы» (входит в «РАТМ-холдинг»), производящий электронно-оптические преобразователи для приборов ночного видения, запустил производство нитригаллиевых пластин, применяемых при изготовлении мобильных телефонов и телекоммуникационных систем. Такое производство в России первое. В мае 2018 года завод, в рамках модернизации производства, совместно с Институтом физики полупроводников (ИФП) им А. В. Ржанова Сибирского отделения (СО) РАН, анонсировал проект по созданию полупроводниковых гетероструктур на основе арсенида и нитрида галлия (материалы, широко применяемые для создания элементов электроники). Такие структуры в будущем станут составными компонентами мощных транзисторов, используемых для создания устройств связи. Стоимость проекта оценивалась в 30 млн евро. Завод «Экран-оптические системы» первый в России запустил производство компонентов на основе нитрида галлия для пассивных и активных устройств электроннокомпонентной плазмы. Проект реализован совместно с ИФП СО РАН. Выпускаемая на заводе продукция на основе пластин арсенида галлия и нитрида галлия, сейчас активно используется в приборах квантовой электроники, в СВЧ-технике, в телефонах, в технике для систем связи и светотехнике. Как сообщал научный сотрудник ИФП СО РАН Константин Журавлев, переговоры института с предприятием длились около полутора лет. Изначально разработкой полупроводников занимались специалисты института. Позднее для реализации проекта на завод было закуплено зарубежное оборудование из Франции, проводилось обучение персонала. https://futurerussia.gov.ru/nacionalnye ... lektroniki |
Автор: | Flamberge [ 03 янв 2021, 22:02 ] |
Заголовок сообщения: | Re: GaAs и GaN технологии |
https://www.youtube.com/watch?v=Zkr7AkcHvCY |
Автор: | Vector [ 24 окт 2022, 10:58 ] |
Заголовок сообщения: | Re: GaAs и GaN технологии |
Кукушкин Сергей Арсеньевич, Н.Т. Баграев А.В. Осипов «Наномасштабный монокристаллический карбид кремния на кремнии и его уникальные свойства» http://vm.ipmras.ru/index.php/s/WPbNm0OSdaavjnq |
Автор: | Летун [ 22 апр 2023, 19:59 ] |
Заголовок сообщения: | Re: GaAs и GaN технологии |
НИИ электронной техники запустил в серийное производство силовые GaN-транзисторы серии ТНГ-К Воронежский НИИ электронной техники сообщает о начале приема заказов на серийно выпускаемые силовые транзисторы серии ТНГ-К на основе нитрида галлия в металлокерамических и пластиковых корпусах. Нитрид-галлиевая технология – одно из наиболее перспективных и быстроразвивающихся направлений в силовой и СВЧ-электронике в мире. Причина этого заложена в свойствах нитрида галлия, значительно превосходящего традиционный для полупроводниковой промышленности кремний по ряду ключевых параметров, таких как ширина запрещенной зоны, критическая напряженность поля и дрейфовая скорость насыщения электронов. Благодаря этому GaN-транзисторы могут работать при более высоких температурах, на более высоких частотах, с большей плотностью мощности и энергоэффективностью, чем кремниевые. НИИЭТ развивает данное направление уже более 10 лет, а в феврале 2021 года институт анонсировал доступность тестовых образцов новых GaN-транзисторов серии ТНГ-К, предназначенных для работы в качестве ключей в зарядных устройствах потребительской электроники, электромобилей, преобразователях энергии альтернативных источников и схемах электропитания аппаратуры различного назначения. В состав серии входило пять типов приборов (ТНГ-К 10030, ТНГ-К 20040, ТНГ-К 20020, ТНГ-К 45020, ТНГ-К 45030) в металлокерамических корпусах КТ-94. Одним из преимуществ серии, уникальным для российского рынка производства ЭКБ, является то, что данные транзисторы – нормально закрытые. Это упрощает схемотехнику драйвера затвора, поскольку приборы такого типа не требуют отрицательного смещения на затворе для перевода транзистора в закрытое состояние. В сочетании с тем, что нитрид-галлиевые транзисторы, работая на более высоких частотах переключения, позволяют применять в конструкциях импульсных источников питания конденсаторы меньшей емкости, более простая схемотехника управления делает возможным существенное сокращение габаритов устройства при сохранении его энергетических параметров. Этому способствуют и высокие значения КПД GaN-транзисторов, в случае серии ТНГ-К достигающие 97-98%. Транзисторы ТНГ-К неоднократно демонстрировались на крупнейших российских выставках электронной и радиоэлектронной промышленности, где вызывали большой интерес со стороны посетителей. В апреле прошлого года образцы этой серии – уже в пластиковых корпусах – получили официальное признание со стороны экспертов отрасли: они принесли АО «НИИЭТ» первое место в конкурсе Electronica – 2022 в категории «Силовая электроника». Теперь транзисторы серии ТНГ-К доступны для заказа. Предприятие освоило серийное производство данных приборов как в металлокерамических, так и в пластиковых корпусах, причем за прошедшее время специалистам НИИЭТ удалось увеличить напряжение пробоя сток-исток приборов до 900 В, тогда как данный параметр в данной серии изначально ограничивался 450 В. «Насколько эффективной может быть нитрид-галлиевая технология при создании устройств силовой электроники, мы уже показали на примере наших зарядных устройств: мощность 95 Вт достигается в габаритах обычной зарядки для автомобильного прикуривателя, – отметил Владимир Малеев, коммерческий директор АО „НИИЭТ“. – Спектр применения транзисторов серии ТНГ-К очень широк. Теперь производители силовой аппаратуры могут не просто оценить ее преимущества на тестовых образцах, но и полноценно применять эти приборы в своей серийной продукции». https://niiet.ru/07_04_2023/ |
Автор: | Vaal [ 22 апр 2023, 20:06 ] |
Заголовок сообщения: | Re: GaAs и GaN технологии |
Где силовые транзисторы СВЧ, там и модули для АФАР. |
Страница 1 из 1 | Часовой пояс: UTC + 3 часа |
Powered by phpBB © 2000, 2002, 2005, 2007 phpBB Group http://www.phpbb.com/ |