Текущее время:

Часовой пояс: UTC + 3 часа




 Страница 1 из 1 [ Сообщений: 21 ] 
Автор Сообщение
 Заголовок сообщения: GaAs и GaN технологии
СообщениеДобавлено:  
Я новость от КРЭТ специально притянул: болеть за своих - это естественно, но жизнь в параллельной реальности...

Почитайте даташиты от cree и triquint, посмотрите, когда тошиба начала продажи GaN модулей. И сравните с нашими успехами.

"Первые в мире"...


  
 
 Заголовок сообщения: Re: ПАК ФА Т-50 (часть 4)
СообщениеДобавлено:  
Гость писал(а):
посмотрите, когда тошиба начала продажи GaN модулей.
Модулей чего? Неужели для для АФАР X-диапазона? Ой, шо, нет? Ну на нет сюда нет.


  
 
 Заголовок сообщения: Re: ПАК ФА Т-50 (часть 4)
СообщениеДобавлено:  
на дату обратите внимание

http://www.microwavejournal.com/article ... plications

посвежее:

http://www.toshiba.com/taec/news/press_ ... 12_637.jsp

и это далеко не лучшие модели.


  
 
 Заголовок сообщения: Re: ПАК ФА Т-50 (часть 4)
СообщениеДобавлено:  
Аватара пользователя

Сообщений: 2733
Давайте не будем обожествлять нитрид галлия.
Вот наткнулся на статью:
http://www.telesputnik.ru/archive/pdf/184/111.pdf

Цитата:
Это на 20% меньшее
энергопотребление (при аналогичной
производительности), повышенная
устойчивость к электростатическим
разрядам (почти как у кремниевых
транзисторов), лучший отвод тепла
(интенсивнее с такой же поверхности).
Другие параметры аналогичны пред-
лагаемым технологией GaAs (арсенид
галлия).


Кроме того, кому нафик надо транзисторы по 175 Вт для БРЛС?
(проглядел - для Х-бэнд 81.3 Вт, не суть важно)
Считаем: 2000 ППМ * 175 = 350 кВт.
У пилота под ногами? Это что, подумаешь, херня - в карман сунул и пошел?


Не в сети
 Профиль Отправить личное сообщение  
 
 Заголовок сообщения: Re: ПАК ФА Т-50 (часть 4)
СообщениеДобавлено:  
согласен, это фетиш своего рода.

я лишь мягко намекал, что в чипах мы по-прежнему не передовики.


  
 
 Заголовок сообщения: Re: ПАК ФА Т-50 (часть 4)
СообщениеДобавлено:  
Аватара пользователя

Сообщений: 2733
Я думаю, что и энергетики тех чипов, что есть, хватает, чтобы обеспечить достойные характеристики обнаружения. Остальное дело инженеров-проектировщиков (СВЧ, топологии и проч), а они везде есть хорошие. И замотивированные. И дело алгоритмов, в коем у наших головы даже посветлее будут...


Не в сети
 Профиль Отправить личное сообщение  
 
 Заголовок сообщения: Re: ПАК ФА Т-50 (часть 4)
СообщениеДобавлено:  
"Сегодня GaN-транзисторы демонстрируют едва ли не худшие показатели термоустойчивости, чем GaAs-приборы. Например, при температуре активной структуры 350°С среднее время между отказами для GaAs-транзисторов составляет 10 -100 часов, а GaN менее 10 часов (данные испытаний 2007 года). Технология GaN-приборов будет совершенствоваться, но в любом случае, тепло в GaN-приборах снимается с площади, в 10 раз меньшей по сравнению с GaAs, поэтому проблем хватит. Коэффициент полезного действия у GaN-транзисторов действительно высокий, 60--65%. Но это - не прорыв, у современных GaAs pHEMT-транзисторов КПД достигает 55%.

Прорыв GaN-приборов - в удельной мощности, снимаемой с единицы периферии затвора транзистора, и как следствие - с единичного кристалла МИС. Сегодня с одного кристалла GaAs МИС в диапазоне 10 ГГц можно снять примерно 15-20 Вт. Например, такие приборы в 2008 году выпускала компания M/A-СOM. Но это можно считать пределом, дальше кристалл становится слишком большим и хрупким. С кристалла GaN МИС можно будет снимать до 100 Вт. Эта цель достижима, уже продемонстрирован GaN монолитный усилитель с выходной мощностью около 40 Вт."

и еще много интересного - http://www.mwsystems.ru/publication/?id=19


  
 
 Заголовок сообщения: Re: GaAs и GaN технологии
СообщениеДобавлено:  
Аватара пользователя

Сообщений: 6905
Цитата:
Кроме того, кому нафик надо транзисторы по 175 Вт для БРЛС?
(проглядел - для Х-бэнд 81.3 Вт, не суть важно)
Считаем: 2000 ППМ * 175 = 350 кВт.
У пилота под ногами? Это что, подумаешь, херня - в карман сунул и пошел?

Это все решается средствами защиты - например пленкой на остеклении кабины итп. Замечу то, что импульсная мощность в сотни киловат вроде уже давно есть на отдельных РЛС.

А вот мощность, мощность полезна для РЭП, да и для обнаружения малозаметных самолетов.



_________________
вырабатываю критическое мышление
Спойлер: Показать
Изображение
Не в сети
 Профиль Отправить личное сообщение  
 
 Заголовок сообщения: Re: ПАК ФА Т-50 (часть 4)
СообщениеДобавлено:  
Вы что, серьёзно думаете, что радары на GaN модулях все подряд не делают потому, что "они слишком мощные"?

Вы в курсе, сколько стоит каждый ППМ? Сколько стоит целый радар с АФАР?

Основные проблемы сейчас - в технологии. Гигантский процент брака.

GaN при доведении технологии до серии обещает четырехкратное сокращение стоимости по сравнению с GaAs при прочих равных.

Это при существенном увеличении КПД, который имеет кумулятивный эффект на стоимость/эффективность конечного изделия.


  
 
 Заголовок сообщения: Re: ПАК ФА Т-50 (часть 4)
СообщениеДобавлено:  
Аватара пользователя

Сообщений: 1591
Гость писал(а):
Вы что, серьёзно думаете, что радары на GaN модулях все подряд не делают потому, что "они слишком мощные"?

Вы в курсе, сколько стоит каждый ППМ? Сколько стоит целый радар с АФАР?

Основные проблемы сейчас - в технологии. Гигантский процент брака.

GaN при доведении технологии до серии обещает четырехкратное сокращение стоимости по сравнению с GaAs при прочих равных.

Это при существенном увеличении КПД, который имеет кумулятивный эффект на стоимость/эффективность конечного изделия.

Цена модулей планарной АФАР на порядки дешевле чем классическое исполнение в этом и есть новация, то что японцы микросхемы по GaN на HTСС начали делать чуть раньше (и Американцы) это понятно про это написано, фишка как раз в цене и есть. На основе микрух GaN сборка выполнена на LTCC керамике все вместе с охлаждением, при этом малые габариты, в этом фишка (в общей архитектуре уже готового ППМ).

цитата:
планарная, функционально законченная конструкция с интегрированными антенными элементами
рекордно малая толщина . 13 мм
высокая стойкость к ВВФ СВЧ-субмодулей из LTCC керамики
высокая технологичность, повторяемость и стабильность параметров
интегрированный высокоскоростной синхронный последовательный интерфейс управления
возможность объединения модулей для создания антенн любого размера
низкая стоимость

цитата:
С учетом обобщенного мирового опыта в ОАО НИИПП ведется разработка многоканальных интегрированных планарных приемных и передающих модулей АФАР, которые включают в себя все элементы полотна АФАР (активные элементы, антенные излучатели, системы распределения сигналов СВЧ и управления, вторичный источник питания, управляющий цифровой контроллер с интерфейсной схемой, систему жидкостного охлаждения) и являются функционально законченным устройством.
http://www.traisel.ru/doc/production/niipp/36/2



_________________
Открылась бездна звезд полна;
Звездам числа нет, бездне дна.

(М. В. Ломоносов)
Не в сети
 Профиль Отправить личное сообщение  
 
 Заголовок сообщения: Re: GaAs и GaN технологии
СообщениеДобавлено:  
Аватара пользователя

Сообщений: 6905
Вопрос, что будет если сделать РЛС для МФП на основе GaN технологий, какие оценочные ТТХ такая станция может иметь?



_________________
вырабатываю критическое мышление
Спойлер: Показать
Изображение
Не в сети
 Профиль Отправить личное сообщение  
 
 Заголовок сообщения: Re: ПАК ФА Т-50 (часть 4)
СообщениеДобавлено:  
Аватара пользователя

Сообщений: 3129
Гость писал(а):
на дату обратите внимание

http://www.microwavejournal.com/article ... plications

посвежее:

http://www.toshiba.com/taec/news/press_ ... 12_637.jsp

и это далеко не лучшие модели.



Ну да, ну да....
2007 - анонс GaN транзистора и усилителя на его основе
2012 - анонс гибридной микросхемы на той же основе, мощностью 25Вт (targeted to transmitter and receiver modules (TRMs) used in radar applications, что по-нашему означает ППМ)
Путь от от GaN транзистора до ППМ занял пять лет...
Не вижу существенного отставания со стороны РФ.



_________________
"Нам нужен мир!" - сказали русские.
_____________________________
Мир напрягся...
Не в сети
 Профиль Отправить личное сообщение  
 
 Заголовок сообщения: Re: GaAs и GaN технологии
СообщениеДобавлено:  
Аватара пользователя

Сообщений: 165
Не знаю было тут, не было ,оставлю в этой ветке .
http://24ri.ru/down/open/tomskie-uchenye-razrabotali-tverdotelnyj-usilitel-mocshnosti-v-millimetrovom-diapazone.html
Томские ученые разработали твердотельный усилитель мощности в миллиметровом диапазоне

твердотельный усилитель,НИИПП,АФАР
Специалисты НИИ полупроводниковых приборов г. Томск разработали твердотельный усилитель мощности 8-мм диапазона длин волн на основе GaN (нитрид галлия) интегральных схем с выходной мощностью более 800 Вт.

По сравнению с традиционными решениями, усилители на основе GaN могут обеспечить в 3 раза больше выходной мощности при одинаковых физических размерах. Наряду с более высокой плотностью мощности полупроводники GaN имеют более высокую устойчивость и надёжность. Разработка, осуществленная томским АО «НИИ полупроводниковых приборов», уникальна для российского рынка и относится к самым передовым научно-техническим решениям не только в стране, но и в мире.....
P.S.
В настоящее время опытные образцы усилителей, которые применяются в радиолокационном оборудовании, отгружены потребителям для проведения испытаний в составе аппаратуры. В начале следующего года предприятие планирует начать серийное производство......


Не в сети
 Профиль Отправить личное сообщение  
 
 Заголовок сообщения: Re: GaAs и GaN технологии
СообщениеДобавлено:  
Аватара пользователя

Сообщений: 3129
Жирный Кот писал(а):
Не знаю было тут, не было ,оставлю в этой ветке .
http://24ri.ru/down/open/tomskie-uchenye-razrabotali-tverdotelnyj-usilitel-mocshnosti-v-millimetrovom-diapazone.html
Томские ученые разработали твердотельный усилитель мощности в миллиметровом диапазоне

Спойлер: Показать
твердотельный усилитель,НИИПП,АФАР
Специалисты НИИ полупроводниковых приборов г. Томск разработали твердотельный усилитель мощности 8-мм диапазона длин волн на основе GaN (нитрид галлия) интегральных схем с выходной мощностью более 800 Вт.

По сравнению с традиционными решениями, усилители на основе GaN могут обеспечить в 3 раза больше выходной мощности при одинаковых физических размерах. Наряду с более высокой плотностью мощности полупроводники GaN имеют более высокую устойчивость и надёжность. Разработка, осуществленная томским АО «НИИ полупроводниковых приборов», уникальна для российского рынка и относится к самым передовым научно-техническим решениям не только в стране, но и в мире.....
P.S.
В настоящее время опытные образцы усилителей, которые применяются в радиолокационном оборудовании, отгружены потребителям для проведения испытаний в составе аппаратуры. В начале следующего года предприятие планирует начать серийное производство......

Это же для всяких компактных ГСН, не для РЛС самолетной.



_________________
"Нам нужен мир!" - сказали русские.
_____________________________
Мир напрягся...
Не в сети
 Профиль Отправить личное сообщение  
 
 Заголовок сообщения: Re: GaAs и GaN технологии
СообщениеДобавлено:  
Аватара пользователя

Сообщений: 165
Vaal писал(а):
Это же для всяких компактных ГСН, не для РЛС самолетной.

Вроде как заявлен широкий спектр применения , включая наземные и морского базирования .Даже где-то видел что 0,001м.кв. на 25-30 км низко летящий обнаруживает .


Не в сети
 Профиль Отправить личное сообщение  
 
 Заголовок сообщения: Re: GaAs и GaN технологии
СообщениеДобавлено:  
Аватара пользователя

Сообщений: 3129
Жирный Кот писал(а):
Vaal писал(а):
Это же для всяких компактных ГСН, не для РЛС самолетной.

Вроде как заявлен широкий спектр применения , включая наземные и морского базирования .Даже где-то видел что 0,001м.кв. на 25-30 км низко летящий обнаруживает .

В миллиметровом диапазоне проблемы с дальностью и погодными условиями. Не любит атмосфера миллиметровые волны.
На теме "Армата" был разбор использования РЛС разных диапазонов в системах КАЗ.



_________________
"Нам нужен мир!" - сказали русские.
_____________________________
Мир напрягся...
Не в сети
 Профиль Отправить личное сообщение  
 
 Заголовок сообщения: Re: GaAs и GaN технологии
СообщениеДобавлено:  
Аватара пользователя

Сообщений: 165
Vaal писал(а):
В миллиметровом диапазоне проблемы с дальностью и погодными условиями. Не любит атмосфера миллиметровые волны.
На теме "Армата" был разбор использования РЛС разных диапазонов в системах КАЗ.

В разборе на форуме ,проблемы с дальностью возможны .Здесь я указал источник где чёрным по белому написано что изделия отгружены , и что в этом году они уже в серийном производстве. Если вы умеете использовать какой либо поисковый сервис, попробуйте вбить в строку афар миллиметрового диапазона или аргс миллиметрового диапазона .Вы получите как текстовой вариант так и графический , в котором всё представлено наиболее наглядно.


Не в сети
 Профиль Отправить личное сообщение  
 
 Заголовок сообщения: Re: GaAs и GaN технологии
СообщениеДобавлено:  
Аватара пользователя

Сообщений: 7687
Откуда: из дремучего леса
крокодил писал(а):
А это

А про то, что тут используется, нигде ничего не сказано.

А вот тут у нас несколько лет назад применяли GaAs и SiGe.

Что сейчас используют неизвестно. Известно, что в Томске уже разработали свои GaN усилители, но реальные образцы ППМ для авиационных радаров я не видел.

Есть GaN ППМ для больших радаров, стационарные, корабли, автомобильное шасси.



_________________
Данко разорвал руками себе грудь и вырвал из неё сердце и высоко поднял его над головой. Оно пылало ярче солнца, и люди, очарованные, снова пошли за ним. (C) кавалер ордена Ленина Максим Горький, "Старуха Изергиль" - 1894 г.
Не в сети
 Профиль Отправить личное сообщение  
 
 Заголовок сообщения: Re: GaAs и GaN технологии
СообщениеДобавлено:  
Аватара пользователя

Сообщений: 4381
Один из лауреатов Премии правительства Москвы

Изображение



_________________
Да будет судьба России крылата парусами!
Не в сети
 Профиль Отправить личное сообщение  
 
 Заголовок сообщения: Re: GaAs и GaN технологии
СообщениеДобавлено:  

Сообщений: 26
Сделано на Микроне: кремний вместо арсенида галлия
В феврале 2018 года Микрон завершил испытания библиотеки сложных функциональных СВЧ кремниевых компонентов, работающих на частоте до 3 ГГц. Созданные блоки позволят существенно удешевить приемо-передающие модули и повысить энергоэффективность радиолокационных систем, применяемых в навигации и автоэлектронике.

«Рынок уже ждет эту разработку, так как дорогую арсенид-галлиевую технологию можно заменить на кремний без потери в стойкости, надежности и качестве, что актуально, например, в локационных системах аэропортов, в судоходстве и автомобилях будущего, - сообщил советник генерального директора ПАО «Микрон» Денис Адамов. - Следующим нашим шагом станет чип, интегрирующий функции приема-передачи и обработки цифрового сигнала, чтобы сделать радиотехнические системы более компактными и энергонезависимыми, что востребовано в автоэлектронике для систем помощи водителю и автопилотируемого транспорта».

В рамках опытно-конструкторских работ Микроном создана библиотека IP блоков, что позволит разработчикам осуществлять проектирование собственных кремниевых СВЧ чипов и производить их на Микроне в режиме фаундри. Микрон, крупнейшее микроэлектронное предприятие России, является центром отраслевой экспертизы и предоставляет разработчикам набор библиотек и технологических процессов для разработки аналоговых и цифровых микросхем. Инвестиции в научные исследования и опытно-конструкторские разработки составляют 15% годовой выручки.

http://www.mikron.ru/press-center/news/2515/


Не в сети
 Профиль Отправить личное сообщение  
 
 Заголовок сообщения: Re: GaAs и GaN технологии
СообщениеДобавлено:  
Аватара пользователя

Сообщений: 7687
Откуда: из дремучего леса
гражданин писал(а):
кремний вместо арсенида галлия

Это так называемая технология SiGe. Микрон тут не первый в России.



_________________
Данко разорвал руками себе грудь и вырвал из неё сердце и высоко поднял его над головой. Оно пылало ярче солнца, и люди, очарованные, снова пошли за ним. (C) кавалер ордена Ленина Максим Горький, "Старуха Изергиль" - 1894 г.
Не в сети
 Профиль Отправить личное сообщение  
 
Показать сообщения за:  Поле сортировки  
 Страница 1 из 1 [ Сообщений: 21 ] 

Часовой пояс: UTC + 3 часа



Кто сейчас на конференции

Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 1


Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете добавлять вложения

Найти:
Перейти:  
phpBB skin developed by: John Olson
Powered by phpBB © 2000, 2002, 2005, 2007 phpBB Group

Вы можете создать форум бесплатно PHPBB3 на Getbb.Ru, Также возможно сделать готовый форум PHPBB2 на Mybb2.ru
Русская поддержка phpBB